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Team Group T-Force Vulcan Z DDR4 3200Mhz PC4-25600 16GB 2x8GB CL16 Gris

TLZGD416G3200HC16CDC01
41,95 €

Team Group

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Características:

  • Estructura reforzada y disipación de calor mejorada: Diseñado para ofrecer una protección completa y una disipación de calor mejorada, el difusor térmico se fabrica mediante un proceso de prensa de perforación, en una placa de aleación de aluminio de una sola pieza de 0.8 mm de grosor para reforzar la estructura del cuerpo del dispositivo. Además, el proceso de anodización electrolítica puede mejorar la resistencia a la corrosión y hacerla no conductora. Además, el adhesivo térmico superconductor puede mantener la memoria de juegos en las temperaturas de funcionamiento.
  • Chips de circuitos integrados selectos, estable y duradero: La memoria DDR4 para videojuegos se fabrica y selecciona mediante un riguroso proceso de pruebas para brindar compatibilidad y estabilidad completas. Esto ofrece a los gamers una memoria DDR4 con excelente compatibilidad, calidad y estabilidad.
  • Alto rendimiento, bajo consumo de energía y facilidad para la actualización: Además del aumento en la velocidad de transferencia de datos, el voltaje de funcionamiento básico de la nueva generación de memoria DDR4 también se redujo. Esta memoria ahorra energía, tiene un alto rendimiento y un bajo consumo.
  • Compatible con Intel XMP y sobreaceleración automática: La memoria DDR4 T-FORCE VULCAN Z para videojuegos es plug-and-play. La sobreaceleración puede ser muy sencilla sin la molestia de ajustar manualmente el BIOS. Es compatible con las plataformas Intel y AMD, por lo que los gamers pueden disfrutar de la sobreaceleración fácilmente y sin preocupaciones.

Especificaciones Team Group T-Force Vulcan Z:

  • Características
    • Latencia CAS: 16
    • Memoria interna: 16 GB
    • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB
    • Velocidad de memoria del reloj: 3200 MHz
    • Componente para: PC/servidor
    • Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM
    • Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
    • ECC: No
    • Voltaje de memoria: 1.35 V
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